| Заведующий лабораторией: | Яблонский Геннадий Петрович
| | тел.: (+37517) 2840428 |
Основные направления исследований:
Физические основы работы лазерных диодов, диодных линеек и диодных матриц, разработка и создание твердотельных лазеров с диодной накачкой.
Разработка высокоэффективных блоков преобразования лазерного излучения.
Разработка и создание компактных лазерных спектрометров, в том числе лазерных диодных спектрометров.
Развитие технологий и техники сборки диодных лазеров и линеек.
Исследование оптических и лазерных процессов в широкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами и точками на основе полупроводников III/V и II/VI в широком интервале температур и уровней оптического возбуждения, разработка рекомендаций по оптимизации роста и внутреннего строения гетероструктур на основе обратной связи между технологией их роста и оптическими свойствами.
Разработка, создание, исследование, разработка новых методов тестирования, оптимизация технологий и структуры лазеров, светодиодов, фотоприемников и солнечных элементов.
Исследования влияния уровня возбуждения и температуры на механизм передачи энергии от сенсибилизатора к активатору в высокоэффективных люминесцентных и лазерных материалах на основе активированных и сенсибилизированных ионами редкоземельных элементов тройных халькогенидных полупроводников.
Теория неравновесных процессов в полупроводниковых лазерах и в оптоэлектронных полупроводниковых структурах.
Разработка аналитических методов исследования динамики многоуровневых квантовых систем (атомов, молекул, твердотельных резонансных сред) под действием мощного лазерного излучения.
Важнейшие результаты:
В 2009 г. в лаборатории выполнялись 27 финансируемых тем, проектов и заданий. Из них 8 заданий по ГКПНИ, 1 задание по ГНТП, 11 проектов БРФФИ, 4 хоздоговора с заказчиками и 2 международных контракта. По результатам работ опубликовано 38 статей и 35 направлено в печать, сделано 48 докладов на конференциях различного уровня, получено 7 патентов, поданы 2 заявки.
Лаборатория организовала и провела 7-й Белорусско–Российский семинар “Полупроводниковые лазеры и системы на их основе” (Минск, 1–5 июня 2009 г.). Сотрудники лаборатории участвовали в проведении и организации XVIII Литовско-Белорусского семинара «Лазеры и оптическая нелинейность», г. Вильнюс, 16-18 Сентября 2009 г. и Междунаpодной научной конференции «Физика импульсных pазpядов в конденсиpованных сpедах», г. Николаев, 17-21 августа 2009 г.
Впервые получена генерация в дальней ультрафиолетовой области спектра (~ 300 нм) при оптической накачке на гетероструктурах, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией. На основе таких гетероструктур были разработаны и созданы экспериментальные образцы ультрафиолетовых светодиодов на 320-360 нм.
Разработана конструкция и изготовлен активный элемент эрбиевого лазера с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности, позволяющий работать при повышенных плотностях генерируемого потока излучения без повреждения рабочих поверхностей. Разработана конструкция лазерного излучателя с диодной накачкой для экспериментального образца портативного лазера, предназначенного для работы в составе лазерно-плазменного двигателя коррекции орбиты микроспутника. Разработаны и созданы экспериментальные образцы солнечных элементов на основе CuInGaSe, лазерного конвертера на зеленую область спектра, мощных светодиодов с жидкостным охлаждением, каскадных фотоэлектричеких солнечных элементов на основе трехпереходных III-V гетероструктур с высоким (более 96%) коэффициентом заполнения и МПМ фотоприемников УФ-диапазона спектра на основе GaN гетероструктур с чувствительностью более 2.5x106 А/Вт, определены основные люминесцентные и лазерные свойства гетероструктур на основе нитрида галлия, выращенных на подложках из кремния и алюмината лития.
Разработан метод построения точных аналитических решений уравнений когерентной динамики квантовых многоуровневых систем в поле лазерного излучения, которые описывают возбуждение атомов, молекул, резонансных сред под действием сверхкоротких лазерных импульсов в безрелаксационном режиме. Построены точные решения, описывающие динамику квантовых систем, имеющих разнообразные характеристики и возбуждаемые в различных условиях. Путем численного моделирования установлены основные закономерности изменения (свипирования) “мгновенной” частоты излучения квантоворазмерных гетеролазеров с учетом изменения ширины запрещенной зоны полупроводника из-за вариации концентрации неравновесных носителей тока.
|