Заведующий лабораторией: | Залесский Валерий Борисович
| | тел.: (+37517) 2813229 |
Основные направления исследований:
разработка перспективных методов повышения эффективности и оптимизации конструкций элементов фотовольтаики 3-го поколения на основе преобразования электромагнитного излучения, спектрального разложения и концентрации солнечного излучения, применения нанотехнологий и т.д.;
разработка конструкций и технологии, изготовление экспериментальных образцов фотодетекторов УФ, видимого и ближнего ИК диапазонов, датчиков ионизирующего излучения, кремниевых солнечных элементов и высокочувствительных лавинных фотодиодов;
конструкция, демонстрация технологии и изготовление приборов на соединениях A3B5 в том числе СВЧ приборов;
разработка тонкоплёночных солнечных элементов на основе соединений Cu(In,Ga)Se2, SnS;
разработка технологических принципов создания наноструктурированных элементов и приборов;
разработка тонкоплёночных полупроводниковых диодов и МОП транзисторов на основе ZnO, CIGS;
разработка тонкоплёночных приборов на основе VO2;
разработка компьютеризированного тестового оборудования для измерения параметров полупроводниковых приборов и процессов.
Важнейшие результаты:
Разработана структурная схема высокопроизводительного полностью оптического коммутатора для современных оптических систем передачи и обработки информации.
Разработана методика низкотемпературного (300 °C) синтеза поликристаллических плёнок сульфида олова, по своим электрофизическим характеристикам перспективных для создания тонкоплёночных солнечных элементов (Eg = 1.15 - 1.24 эВ) и термопреобразователей (коэффициент термоЭДС 800 – 900 мкВ/град).
Разработаны процессы формирования серебряных контактов к n+ GaAs c повышенной надежностью. Контакты отличаются от применяемых ныне золотых в 5 раз меньшим переходным контактным сопротивлением и более высокой термостабильностью (на 2 порядка).
Разработан и исследован процесс получения новых композитных текстурированных аморфно-микрокристаллических тонких слоёв кремния с использованием PE CVD осаждения на подложках микротекстурированного алюминия и пористого анодного оксида алюминия для фоточувствительных тонкоплёночных структур, электрохимических и фотоэлектрохимических элементов для генерации и хранения электрической энергии.
Предложен метод концентрации солнечного излучения за счет преобразования его пространственных характеристик на фазовых трехмерных голограммах.
Предложена оригинальная структурная схема и её схемотехническая реализация фотоэлектрического модуля, позволяющего значительно увеличить эффективность преобразования солнечной радиации в электричество как за счет расширения преобразуемого спектрального диапазона солнечного излучения, включая ближнюю инфракрасную область, так и за счет утилизации тепловой энергии, выделяемой собственными элементами модуля при одновременном снижении затрат на производство электроэнергии.
Предложена конструкция преобразователя инфракрасного излучения, включающая чувствительный элемент термически соединенный с поглощающей пленкой, выполненной в виде микродиска, оптически связанного с концентратором инфракрасного излучения.
|