| Заведующий лабораторией: | Малашкевич Георгий Ефимович
| | тел.: (+37517) 2840447 |
Основные направления исследований:
Синтез и исследование структурных, оптических и спектрально-люминесцентных свойств неорганических стекол, пленок, порошков и керамики, легированных редкоземельными, переходными и благородными металлами, а также органическими молекулами.
Спектроскопия и люминесценция биологически важных соединений и их аналогов; тонкоструктурная спектроскопия хлорофиллоподобных молекул; квантово-химические расчеты органических молекул.
Исследование эффектов взаимодействия лазерного излучения с полупроводниками и гетеросистемами на их основе.
Важнейшие результаты:
В оксидных матрицах, соактивированных ионами Yb3+ и Fe3+ (ультрадисперсные порошки) и ионами Yb3+ и Er3+ (прозрачные и закристаллизованные стекла) реализованы соответственно рекордный коэффициент ветвления люминесценции на высокорасположенный (&Delta&nu ≈ 600 см-1) штарковский подуровень основного состояния ионов Yb3+ и эффективная (предельный квантовый выход ≈ 12%) визуализация ИК-излучения.
Установлено, что эффективность сенсибилизации люминесценции Eu3+ ионами серебра в оксидных пленках при УФ-облучении снижается до стационарного уровня в результате восстановления ионов серебра до атомарного состояния.
Измерены фотофизические характеристики и выполнены квантово-химические расчеты электронной структуры и энергии основного и возбужденных электронных состояний молекул новых аналогов фталоцианина с S - или Se - содержащим пятичленным гетероциклом. Найденные спектро- структурные корреляции могут быть полезны при разработке новых функциональных материалов на базе фталоцианиновых пигментов.
Экспериментально, методами in situ, и методами численного моделирования получены новые данные, характеризующие температурные режимы и кинетику фазовых превращений, инициируемых воздействием интенсивного наносекундного лазерного излучения на Ge-Si нано- и гетероструктуры и тонкоплёночные системы In/CdZnTe и In/стекло. Результаты исследований могут быть использованы в прикладных исследованиях, направленных на формирование наноэлектронных приборных структур и датчиков излучений.
|